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漢思新材料斬獲溫控晶振小間距芯片填充膠專利,破解高端封裝空洞難題

發布時間:2026-01-28 14:32:27 責任編輯:漢思新材料閱讀:15

近日,東莞市漢思新材料科技有限公司(以下簡稱漢思新材料)成功斬獲一種溫控晶振小間距芯片填充膠及其制備方法發明專利(公開號:CN121343527A)。依托突破性創新配方設計,該產品可實現≤50微米窄間隙場景下的全浸潤式填充,從根源上徹底杜絕空洞缺陷,為超薄、小間距芯片封裝模組提供高可靠性核心技術支撐,填補了溫控晶振領域窄間隙填充的技術空白。



精準錨定核心需求,攻克封裝行業痛點

此次專利技術以溫控晶振(TCXO)等高端微型電子元件為核心應用目標,針對性解決其封裝過程中的關鍵可靠性難題。作為通信、導航、5G基站、AI服務器等設備的核心時鐘源,溫控晶振對封裝完整性、抗熱應力及耐腐蝕性要求極高,而小間距封裝場景下的空洞缺陷,正是制約其性能升級的核心瓶頸。

在高密度、小間距(<100μm)芯片封裝領域,傳統底部填充膠普遍存在粘度偏高、流動性不足、脫泡不徹底等問題,易在芯片與基板間隙殘留氣泡或形成空洞。這些缺陷會直接導致熱應力集中、焊點開裂、潮氣侵入腐蝕等連鎖反應,最終引發器件失效,嚴重影響終端產品的穩定性與使用壽命。


多維創新突破,構筑技術競爭壁壘

漢思新材料憑借多年在電子膠粘劑領域的技術沉淀,通過材料配方與工藝的協同優化,形成五大核心創新點,實現窄間隙填充技術的跨越式提升:

低粘高流體系:采用定制化低粘度樹脂基質,搭配高效流動促進劑,確保膠液在≤50微米窄間隙內快速完成毛細浸潤填充,無死角覆蓋;

復合填料優化:創新采用納米/微米復合球形二氧化硅填料,精準調控粒徑分布,既提升膠層致密性,又保障填充流動性,杜絕間隙殘留;

高效脫泡方案:通過引入專用消泡/脫泡助劑,結合真空混合工藝,從源頭消除膠液內部氣泡,徹底規避空洞產生;

熱性能精準匹配:嚴格控制固化收縮率與熱膨脹系數(CTE),實現與溫控晶振、PCB基板的熱性能高度適配,降低熱應力損傷;

工藝兼容性強:支持圍壩填充(Dam & Fill)工藝,可精準控制膠液范圍,有效防止溢膠,適配自動化量產需求。


產業化前景廣闊,賦能高端制造升級

該專利技術的成功產業化,將為高端電子封裝領域帶來多重價值突破。一方面,可顯著提升高頻通信設備、車規級晶振、AI服務器時鐘模塊等產品的封裝良率與長期可靠性,助力終端設備向更輕薄、高密度、高穩定性方向升級;另一方面,將打破進口高端填充膠在該領域的壟斷格局,推動國產電子新材料在先進封裝領域的深度替代與自主可控。

憑借優異的性能表現,該產品可廣泛應用于高端智能手機、柔性OLED、可穿戴設備、車載電子等終端場景,為電子行業突破小間距封裝瓶頸、提升產品核心競爭力提供全新技術路徑。


深耕技術創新,引領國產材料崛起

作為電子膠粘劑領域的深耕者,漢思新材料始終以技術創新為核心驅動力,積累了多項核心專利與資質認證,構建了完善的高端封裝材料技術體系。此次專利的成功申請,不僅彰顯了企業在小間距封裝材料領域的深厚技術積淀,更標志著我國在溫控晶振專用填充膠領域實現關鍵技術突破。

未來,漢思新材料將持續聚焦電子封裝領域的技術痛點與市場需求,加速推動專利成果產業化落地,以更精準、高效的材料解決方案賦能半導體、顯示面板、車載電子等高端制造業升級,助力我國電子新材料產業突破核心技術壁壘,實現高質量發展。


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